近年來，從有效利用能源的觀點出發(fā)，使用碳化硅（SiC）的功率半導體可以大幅降低功率損耗并可實現(xiàn)功率器件高速開關，因而用戶對它的期盼日益迫切。此前，針對不間斷供電電源裝置、醫(yī)療器械專用電源等需要進行高頻開關操作的電力電子裝置，三菱電機已經開發(fā)了開關特性最優(yōu)化的功率半導體模塊“NFH系列”。
現(xiàn)在，通過進一步的研制開發(fā)，三菱電機開始提供高頻用混合型碳化硅（SiC）模塊的樣品，該功率半導體的二極管部分采用碳化硅（SiC）材料制成。
該模塊作為“NFH系列”的新陣容，通過采用SiC-SBD，可以大幅降低功率損耗。并能更好地實現(xiàn)高效化、小型化和輕量化。
 
【高頻用混合SiC功率半導體模塊】 【產品特點】
1．損耗減少約40%，有助于實現(xiàn)裝置的高效化、小型化和輕量化。
2．內部寄生電感降低，可有效抑制浪涌電壓。
3．與以往產品封裝保持一致，方便用戶替換。

【主要規(guī)格】